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车被车倒车碾g）由8V的VGS控制的像素切换特性。电动大货躲开本文展示了如何在氮化镓基外延晶片上直接合成二硫化钼（MoS2）薄膜以形成薄膜晶体管阵列。

本文的MoS2在相对较低的温度下直接在GaN外延晶圆上合成，车被车倒车碾不会对LED有源层造成任何损害，车被车倒车碾并且无需额外的复杂工艺即可制造用于高分辨率micro-LED显示器的背板TFT。电动大货躲开b）左：在GaN晶片上生长的MoS2双层的TEM图像。b）双分子层MoS2TFT在W/L为45µm/10µm的硅晶片上的转移特性，车被车倒车碾驱动电压为VDS=1V。

电动大货躲开图2：在GaN晶片上生长的双层MoS2的光学和电学特性。然而，车被车倒车碾MoS2在相对较低的温度下直接在GaN外延晶圆上合成，车被车倒车碾不会对LED有源层造成任何损害，并且无需额外的复杂工艺即可制造用于高分辨率micro-LED显示器的背板TFT。

四、电动大货躲开数据概览图1：MoS2晶体管与GaN基的全彩micro-LED显示器的单片集成。

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